12月27日，由中國自主研制的國內唯一一款最大電壓等級、最高功率密度的6500伏高壓IGBT芯片及其模塊，在中國南車株洲所首次正式向外界亮相。這款超極IGBT芯片代表了中國功率半導體器件行業IGBT技術的最高水平。
　　IGBT中文名為“絕緣柵雙極型晶體管”。此前，高壓高功率密度IGBT技術幾乎全部被國外少數幾家企業壟斷，國內還是一片空白，使得中國關鍵產業發展在很大程度上受制于人。
　　從傳統的電力、機械、礦冶，到軌道交通、航空航天、新能源裝備以及特種裝備等戰略性新興產業，高壓高功率密度的IGBT應用領域廣泛，堪稱現代功率變流裝置的“心臟”和綠色高端產業的“核芯”。
　　從2011年開始，中國南車株洲所通過全球性的戰略布局，吸納國際優勢研發資源，對該項高端技術進行自主攻關，終于在2012年12月份開發出國內首款從芯片到模塊完全自主化的3300伏等級的IGBT芯片，并在此基礎上，又成功研制出4500伏、6500V高功率密度IGBT芯片及模塊。
　　這款超極IGBT芯片當天亮相于中國南車株洲所舉辦的“高壓高功率密度IGBT芯片及其模塊研究開發”項目鑒定會。來自中國科學院、中國工程院的四位院士以及來自中科院微電子所、南京大學、中南大學等高等院所的權威專家一致認為：中國南車株洲所研制的高壓高功率密度IGBT系列器件具有耐壓高、電流大，功率損耗低、動態性能好等諸多優點，經歷了嚴苛的性能測試和試驗考核，而且具有在軌道交通、柔性直流輸電等重大工程項目的實際應用業績，其成果總體技術處于國際領先水平、填補了國內行業空白，實現了中國在高端IGBT技術領域與國際先進水平接軌，具有重大戰略意義。
　　據悉，目前，中國已成為世界上IGBT產品最大的消費市場，以高速動車組、大功率機車、新能源裝備、電網為龍頭的國內變頻產業年IGBT需求量超過50億元，而且每年以15%以上速度增長。 (記者劉雙雙 通訊員劉亞鵬 曹婷)